上海伯东代理美国 KRi 考夫曼离子源实用于安装在 MBE 分子束外延, 溅射和蒸发体系, PLD 脉冲激光体系等, 在沉积前用离子轰击概况, 举行预干净 Pre-clean 的工艺, 对基材概况有机物 洗涤, 金属氧化物的去除等, 进步沉积薄膜附着力, 纯度, 应力, 工艺效力等！KRi 离子源预干净能够实现去除物理吸附污染: 去除概况污染, 如水, 吸附气体, 碳氢化合物残留去除化学吸附污染: 去除天然和粘合资料. 如概况氧化物, 凡是去除 < 100?
KRi 考夫曼离子源概况预干净 Pre-clean 利用试验要求: 8寸硅片带铜膜, 通氩气, 60s污染物肃清: 有机物,吸附气体数据起源: 俄歇电子能谱 Auger spectra, 美国 KRi 原厂材料
KRi 考夫曼离子源概况预干净 Pre-clean 利用试验要求: 轻蚀刻, 硅片去除特别薄的金属膜, 通氩气污染物肃清: 去除金属薄膜 (w/ Ni/Fe)数据起源: 美国 KRi 原厂材料1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创建 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研产生产宽束离子源, 依据设计创造原理分为考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改进及发展已取得多项专li.
上海伯东美国 KRi 离子源普遍用于离子 洗涤 PC, 离子蚀刻 IBE, 帮助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 和离子束打磨工艺 IBF 等范畴, 上海伯东是美国 KRi 考夫曼离子源中国总代理.若您须要进一步的认识 KRi 考夫曼离子源, 请参考以下联络方法上海伯东: 罗先生