上海伯东美国 KRi 霍尔离子源 EH 系列, 供给高电流低能量宽束型离子束, KRi 霍尔离子源能够以纳米精度来处置薄膜及概况, 多种型号满足科研及产业, 半导体利用. 霍尔离子源高电流进步镀膜沉积速率, 低能量减少离子轰击毁伤概况, 宽束设计创造进步吞吐量和笼罩沉积区. 整体易操纵, 易?；? 安装于各类真空装备中, 例如 e-beam 电子束镀膜机, load lock, 溅射体系, 分子束外延, 脉冲激光沉积等, 实现 IBAD 帮助镀膜的工艺.KRi 霍尔离子源特色
高电流低能量宽束型离子束灯丝寿命更长更长的运转时光更干净的薄膜灯丝安装在离子源侧面
KRi 霍尔离子源帮助镀膜 IBAD 典范案例:装备: 美国进口 e-beam 电子束蒸发体系离子源型号: EH 400利用: IBAD 帮助镀膜, 通过向生长的薄膜中添加能量来加强分子动力学, 以增添概况和原子 / 分子的流动性, 从而导致薄膜的致密化或通过向生长薄膜中添加活性离子来加强薄膜化合物的化学转化, 从而获得化学计量完全资料.离子源对工艺进程的优化: 无需加热衬底, 对温度敏感资料举行低温处置, 简化反映沉积.通过应用美国 KRi 霍尔离子源能够实现加强和把持薄膜机能, 薄膜致密化的改良, 把持薄膜化学计量, 进步折射率, 下降薄膜应力, 把持薄膜微观构造和方位, 进步薄膜温度和环境稳固性, 增添薄膜附着力, 激活概况,光滑的薄膜界面和概况,下降薄膜接收和散射,增添硬度和耐磨性.美国 KRi 离子源实用于各类沉积体系, 实现 IBAD 帮助镀膜 (电子束蒸发或热蒸发, 离子束溅射, 分子束外延, 脉冲激光沉积)美国 KRi 霍尔离子源 eH 系列在售型号:
型号
eH400
eH1000
eH2000
eH3000
eH Linear
中和器
F or HC
F or HC
F or HC
F or HC
F
阳极电压
50-300 V
50-300 V
50-300 V
50-250 V
50-300 V
离子束流
5A
10A
10A
20A
依据实际利用
散射角度
>45
>45
>45
>45
>45
气体流量
2-25 sccm
2-50 sccm
2-75 sccm
5-100 sccm
依据实际利用
本体高度
3.0“
4.0“
4.0“
6.0“
依据实际利用
直径
3.7“
5.7“
5.7“
9.7“
依据实际利用
水冷
可选
可选
是
可选
依据实际利用
F = Filament; HC = Hollow Cathode; xO2 = Optimized for O2 current上海伯东同期供给 e-beam 电子束蒸发体系所需的涡轮分子泵, 真空规, 高真空插板阀等产品, 协助顾客生产研发更高品质的装备.1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创建 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研产生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改进及发展已取得多项专li. 离子源普遍用于离子 洗涤 PC, 离子蚀刻 IBE, 帮助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 范畴. 上海伯东是美国 KRi 考夫曼离子源中国总代理.若您须要进一步的认识考夫曼离子源, 请参考以下联络方法上海伯东: 罗先生